Micro-LED究竟是什么呢?本文將聚焦于Micro-LED的芯片制造，為您揭曉這一創(chuàng)新技術！

Micro-LED技術概述

　　Micro-LED，即微型發(fā)光二極管，是一種新型的顯示技術，它利用微小的LED作為顯示單元。與傳統(tǒng)的液晶顯示器和OLED顯示器不同，Micro-LED顯示器由數(shù)百萬個微小的LED組成，每個LED都可以獨立發(fā)光，具有高亮度、高對比度、高色彩飽和度和快速響應時間的優(yōu)勢。

芯片制造的挑戰(zhàn)與技術要點

　　Micro-LED芯片制造的挑戰(zhàn)主要集中在以下幾個方面：

　　1.芯片良率的挑戰(zhàn)

　　隨著Micro-LED芯片的微縮化，半導體制造工藝的復雜度顯著增加，從而使得單站制程的良品率(Yield)成為衡量生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵指標。盡管目前良品率控制主要針對單個晶圓(Wafer)進行，且最高良品率可達99.9%，但這種單一指標并不足以全面反映芯片的實際品質(zhì)和可靠性。

　　2.發(fā)光效率的挑戰(zhàn)

　　隨著尺寸的減小，Micro-LED在高電流密度下發(fā)光效率急劇降低。研究表明與芯片幾何結(jié)構(gòu)中的微小“側(cè)壁”缺陷有關，對于Micro-LED來說，即使是微小的2μm側(cè)壁缺陷也可能導致破壞性的影響，因此如何減小側(cè)壁損傷或?qū)?cè)壁進行有效修復，對Micro-LED芯片的加工工藝提出了新的挑戰(zhàn)。

　　3.分光分色的挑戰(zhàn)

　　為了保證亮度和色度的一致性，LED產(chǎn)品需要進行分光分色。Micro-LED芯片微縮后，傳統(tǒng)的測量設備不再適用，對Micro-LED芯片的分光分色提出了新的挑戰(zhàn)。這要求開發(fā)新的測量技術和方法，以適應Micro-LED的微縮化特性。

　　Micro-LED芯片的微縮化為制造工藝帶來了一系列挑戰(zhàn)，從芯片良率的工藝難點，到發(fā)光效率和分光分色的難題，每一個環(huán)節(jié)都需要技術創(chuàng)新和精細的工藝控制。盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，但隨著技術的不斷發(fā)展和突破，Micro-LED顯示技術有望在未來的顯示領域大放異彩。在接下來的系列文章中，我們將繼續(xù)深入探討Micro-LED的其他核心主題，敬請期待。