1月25日，從有關(guān)部門獲悉，省科技廳下發(fā)批復(fù)，同意科達集團組建山東省半導(dǎo)體工程技術(shù)研究中心，組建期三年。
        據(jù)了解，組建山東省半導(dǎo)體工程技術(shù)研究中心是我市大力發(fā)展高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要舉措，科達半導(dǎo)體項目自主研發(fā)了多種規(guī)格的IGBT、MOSFET、FRD等產(chǎn)品。目前，科達半導(dǎo)體公司有設(shè)施齊全的功率MOSFET、IGBT動靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備、可靠性試驗設(shè)備、芯片設(shè)計平臺等研發(fā)設(shè)施，是目前國內(nèi)測試設(shè)施最全、最先進的功率半導(dǎo)體研發(fā)基地。 

        山東省半導(dǎo)體工程技術(shù)研究中心成立后，通過研發(fā)，每年可為企業(yè)提供3個以上的產(chǎn)業(yè)化的新產(chǎn)品項目，每年可為企業(yè)提供不低于5000萬元的新增效益，確保企業(yè)產(chǎn)品的市場競爭優(yōu)勢，并可為社會其他企業(yè)提供產(chǎn)品設(shè)計方案和技術(shù)解決方案，年綜合經(jīng)濟效益可達數(shù)億元。