近日，國星光電作為A級單位參編發(fā)布的《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》在行家說2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上正式發(fā)布，并在行家極光獎頒獎典禮上成功斬獲“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”。

　　探索實踐

　　深度參編白皮書

　　《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》兩本產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書圍繞全球碳化硅功率半導體及氮化鎵功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展狀況、關鍵技術的最新進展、國內(nèi)外各環(huán)節(jié)企業(yè)的區(qū)域分布，以及碳化硅和氮化鎵在各類終端市場的應用進展等方面進行詳細梳理，為第三代半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供參考借鑒。

　　依托在第三代半導體領域的技術探索和實戰(zhàn)經(jīng)驗，國星光電在白皮書中詳細展示了公司最新的技術進展、產(chǎn)品布局及創(chuàng)新應用的解決方案，攜手產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴，凝聚各環(huán)節(jié)智慧力量，針對性地提出助推我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新思路、策略及建議。

　　2023年，國星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應用持續(xù)發(fā)力，產(chǎn)品矩陣日益豐富：

　　SiC應用領域

　　國星光電已形成以TO封裝為主的SiC-SBD與SiC-MOS產(chǎn)品，相關產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)認證，產(chǎn)品可廣泛應用于黑白家電、移動儲能逆變器、新能源汽車等領域。

　　GaN應用領域

　　國星光電具備DFN與TO多種封裝形式，并結(jié)合應用方案推出了控制+驅(qū)動+GaN的集成化封裝器件，該器件可降低雜感，大幅簡化外圍電路，可應用于工業(yè)電源等領域。

　　持續(xù)豐富的應用方案

　　基于第三代半導體，國星光電還推出了應用于驅(qū)動電源市場的整體方案，其中快充墻插、60W/120W櫥柜燈驅(qū)動電源、100W磁吸燈驅(qū)動電源等產(chǎn)品已完成驗證并出貨。

　　開拓創(chuàng)新

　　深耕技術做優(yōu)產(chǎn)品

　　2023行家說極光獎“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”旨在表彰在SiC和GaN領域技術創(chuàng)新、推廣應用、產(chǎn)業(yè)化等方面作出突出貢獻的企業(yè)和優(yōu)秀產(chǎn)品。斬獲該榮譽的是國星光電可應用于新能源汽車的“內(nèi)絕緣分立器件技術方案及其產(chǎn)品”。

　　內(nèi)絕緣分立器件技術方案已實現(xiàn)了3大產(chǎn)品系列的的成果轉(zhuǎn)移，分別在TO-247 SiC系列、內(nèi)絕緣cascode GaN系列產(chǎn)品進行了技術成果應用。相關產(chǎn)品可提升終端應用大功率器件的散熱能力，同時通過減少絕緣墊片的使用以進一步簡化制程工藝，助力終端客戶實現(xiàn)降本增效。

　　當前，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體在新一代顯示、5G移動通信、新能源汽車、消費類電子產(chǎn)品等領域已呈現(xiàn)出廣闊的應用前景，并逐漸成為人工智能、未來智聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展的核心關鍵元器件。作為LED封裝行業(yè)龍頭企業(yè)，國星光電在封裝技術上具備先發(fā)優(yōu)勢，同時可與上游子公司國星半導體、風華芯電進行高效協(xié)同，合力做強第三代化合物半導體及功率IC封測業(yè)務，為加速國產(chǎn)化替代進程貢獻應有力量。